n阱CMOS工艺

本文总结了n阱CMOS工艺的优点.工艺设计的主要考虑是从VLSI观点出发以达到高性能、高速度和高密度并与NMOS工艺相容.应用全离子注入技术、局部氧化方法、n~+掺杂且不含硼杂质的多晶硅栅、等离子体腐蚀以及70nm的薄栅氧化层,制成4μm沟道长度的CMOS电路.通过进一步改进光刻技术,本工艺可用于制造微米级或亚微米级短沟道器件.制作的器件参数和用SUPREMⅡ程序分析和模拟的结果符合得很好.若增加一块制作耗尽型n沟MOS晶体管的掩模版,本工艺也可很容易地扩展成N-MOS/CMOS工艺.