| 化学气相沉积纯钨材料晶体生长习性及其应用性能研究 |
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| 引用本文： | 吕延伟.化学气相沉积纯钨材料晶体生长习性及其应用性能研究[J].稀有金属材料与工程,2017,46(9):2499-2504. |
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| 作者姓名： | 吕延伟 |
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| 作者单位： | 国家钨材料工程技术研究中心 厦门钨业股份有限公司技术中心 |
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| 基金项目： | 中国博士后科学基金第56批面上资助(项目号2014M561867) |
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| 摘 要： | 本研究结合CVD(chemical vapor deposition,CVD)-W材料实际应用对其性能及组织结构的要求,详细讨论了随生长阶段的变化CVD-W晶体生长习性,获得了CVD-W表面形貌-晶粒生长尺寸-表面粗糙度三者与涂层厚度之间的关系,为CVD-W材料及技术在半导体行业及相关高温发热及防护领域中的应用和推广提供了借鉴。
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| 关 键 词： | 钨 化学气相沉积 生长习性 表面粗糙度 |
| 收稿时间： | 2015/5/12 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2015/7/28 0:00:00 |
The Study of the growth habits and application performance of tungsten crystal via Chemical Vapor Deposition |
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| LV Yanwei.The Study of the growth habits and application performance of tungsten crystal via Chemical Vapor Deposition[J].Rare Metal Materials and Engineering,2017,46(9):2499-2504. |
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| Authors: | LV Yanwei |
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| Affiliation: | China National RDdDdD Center for Tungsten Technology, Xiamen Tungsten Co. Ltd. Technology Center. |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Tungsten Chemical Vapor Deposition Growth Habit Surface roughness |
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