| 高分子辅助沉积法(PAD)制备LaBaCo_2O_(5+δ)薄膜的研究 |
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| 作者姓名： | 洪敦华 高敏 潘泰松 张胤 林媛 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室,四川 成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家教育部科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 用高分子辅助沉积法在Si(001)基底上以SiO2为缓冲层成功地制备出LaBaCo2O5+δ(LBCO)薄膜。X射线衍射谱证明了LBCO/Si(001)薄膜是(111)择优取向的单相赝立方结构。从LBCO薄膜样品的SEM照片可以看出,LBCO薄膜的晶粒大小并不均匀,其大的晶粒尺寸为1~2μm,小的晶粒尺寸为0.1~0.2μm;同时,可以明显观察到一些小的空隙,这些空隙有利于氧气的吸附及扩散。在LBCO薄膜的电阻(R)-温度(t)曲线测试中,电阻随温度的升高先急剧下降后缓慢下降,表明LBCO薄膜具有典型的半导体材料性质。LBCO薄膜在纯氧和空气中电阻的最低值分别为36Ω和382Ω,前者为后者的1/10,说明LBCO薄膜对氧气具有敏感性。
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| 关 键 词： | 钙钛矿 薄膜 高分子辅助沉积法 X射线衍射 表面形貌 电输运性质 |
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