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| 硅平面大功率晶体管D402、D10管芯失效机理分析 | |
| 引用本文： | 董尧德,蒋继红,吴益中,金国通,滕星范.硅平面大功率晶体管D402、D10管芯失效机理分析[J].半导体技术,1985(3). |
| 作者姓名： | 董尧德 蒋继红 吴益中 金国通 滕星范 |
| 作者单位： | 浙江开化六○一厂 (董尧德，蒋继红，吴益中，金国通)，浙江开化六○一厂(滕星范) |
| 摘 要： | 一、概述我们采用电分析和显微分析相结合的方法,在大量解剖分析失效的硅平面大功率晶体管D402、D10管芯的基础上,对表面引起失效及体内引起失效的机理进行了较为详细的分析和讨论.D402和D10晶体管是npn型硅平面低频大功率管,其主要技术性能:P_(CM)为2～5W;I_(CM)为1A;BV_(ceo)≥100V(I_C=0.5mA):I_(ceo)≤0.1mA(V_(ce)=20V);V_(ces)≤0.6V(I_c=0.5mA,I_b=0.05mA).其主要用途是作十二英寸、十四英寸黑白电视机伴音功放,以及部分电源推动和激励,其外壳采用D-1C管座封装, |
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