不同磁控溅射模式膜厚均匀性研究 |
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引用本文: | 惠迎雪,杭凌侠,徐均琪,陈伟. 不同磁控溅射模式膜厚均匀性研究[J]. 西安工业学院学报, 2003, 23(1): 32-36 |
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作者姓名: | 惠迎雪 杭凌侠 徐均琪 陈伟 |
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作者单位: | 西安工业学院光电科学与工程系,西安工业学院光电科学与工程系,西安工业学院光电科学与工程系,西安工业学院光电科学与工程系 陕西西安710032,陕西西安710032,陕西西安710032,陕西西安710032 |
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摘 要: | 使用磁控溅射和非平衡磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积钛膜。实验了在同等工艺条件下平衡和非平衡两种不同的工作模式对膜厚均匀性的影响。结果表明,靶基距是影响磁控溅射薄膜厚度均匀性的重要工艺参数,在一定范围内,随着靶基距的增大,膜厚分布均匀性有提高的趋势;磁场分布是影响两种磁控溅射膜厚分布差异的主要因素;非平衡磁控溅射膜厚均匀性随附加励磁线圈电流改变而变化。
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关 键 词: | 磁控溅射 非平衡磁控溅射 均匀性 靶基距 |
文章编号: | 1000-5714(2003)01-0032-05 |
修稿时间: | 2002-09-30 |
Study on the thickness uniformity of films deposited by magnetron sputtering or unbalanced magnetron sputtering |
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Abstract: | |
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Keywords: | magnetron sputtering unbalanced magnetron sputtering thickness uniformity of films distance between target and substrate |
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