| MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析 |
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| 引用本文： | 华云峰,陈照峰,张立同,成来飞.MOCVD Ir薄膜的制备与沉积效果分析[J].稀有金属材料与工程,2005,34(1):139-142. |
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| 作者姓名： | 华云峰 陈照峰 张立同 成来飞 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,陕西 西安 7l0072 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)项目(2002AA305306) |
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| 摘 要： | 在不通入活性气体的条件下，采用三乙酰丙酮铱金属有机物化学气相沉积方法制备铱薄膜。结果表明：低于190℃长时间加热使先驱体分子结构改变，其C-H和C-O键断裂活性升高，导致沉积薄膜中含有显著数量的碳杂质；高于220℃加热先驱体和550℃沉积，可获得致密连续、无杂质碳并且呈亮银白色的铱薄膜。
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| 关 键 词： | 铱 金属有机物化学气相沉积 先驱体 基片 |
| 文章编号： | 1002-185X(2005)01-0139-04 |
| 修稿时间： | 2003年5月16日 |
Preparation of Iridium Films by MOCVD and Deposition Effectiveness Analysis |
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| Hua Yunfeng,Chen Zhaofeng,Zhang Litong,Cheng Laifei.Preparation of Iridium Films by MOCVD and Deposition Effectiveness Analysis[J].Rare Metal Materials and Engineering,2005,34(1):139-142. |
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| Authors: | Hua Yunfeng Chen Zhaofeng Zhang Litong Cheng Laifei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | iridium metalorganic chemical vapor deposition precursor substrates |
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