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DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研究
引用本文:叶超,宁兆元,王婷婷,俞笑竹.DMCPS电子回旋共振等离子体沉积的SiCOH低介电常数薄膜结构及物性研究[J].真空科学与技术学报,2005,25(Z1):97-100.
作者姓名:叶超  宁兆元  王婷婷  俞笑竹
作者单位:苏州大学物理科学与技术学院,苏州,215006
基金项目:国家自然科学基金(No.)
摘    要:本文采用电子回旋共振(ECR)等离子体技术和十甲基环五硅氧烷(DMCPS)源开展了SiCOH薄膜的研究工作,获得了介电常数为2.88的SiCOH低介电常数薄膜.薄膜经400℃热处理后,膜厚减小,最大相对变化率小于15%,呈现较好的热稳定性.薄膜在1MV/cm场强下的漏电流为8.9×10-6A/cm2,且场强达到2.5 MV/cm时,未发生击穿现象,具有较优越的绝缘性能.因此,采用ECR-CVD技术和DMCPS源可以制备热稳定性优良的、绝缘性能优越的低介电常数SiCOH薄膜.

关 键 词:低介电常数薄膜  电子回旋共振等离子体
文章编号:1672-7126(2005)增-097-04
修稿时间:2004年12月1日

Properties and Microstructures of Low-κ SiCOH Films Grown by Electron Cyclotron Resonance Plasma of Decamethylcyclopentasiloxane
Ye Chao,Ning Zhaoyuan,Wang Tingting,Yu Xiaozhu.Properties and Microstructures of Low-κ SiCOH Films Grown by Electron Cyclotron Resonance Plasma of Decamethylcyclopentasiloxane[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(Z1):97-100.
Authors:Ye Chao  Ning Zhaoyuan  Wang Tingting  Yu Xiaozhu
Abstract:
Keywords:
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