硅超高频功率晶体管的实际性能极限

本文讨论由于实际基区层的扩散问题与在比较大的面积上可得到的光刻分辨率所产生的对功率晶体管性能的极限。图1表示一个典型的几何结构,其中L_e是发射极条的半宽度,两发射极之间的距离为2L_e,总的发射极周长为L_p。发射极面积为A_e=L_eL_p,集电极面积为A_c=2L_eL_p。发射极平面的基区层的薄层电阻为R_s,由I_n所表示的载流子的渡越时间为τ,它与截止频率f=1/2πτ相对应,而集电极电阻率由集电极体击穿电压V_B来描述。我们将考虑增益、功率输出和阻抗与上述参数有什么关系,以及如何估计用现有工艺所能得到的性能。