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铝掺杂氧化锌薄膜在玻璃衬底上的RF反应共溅射低温织构生长
引用本文:邵乐喜,张昆辉,黄惠良.铝掺杂氧化锌薄膜在玻璃衬底上的RF反应共溅射低温织构生长[J].半导体学报,2003,24(6):606-611.
作者姓名:邵乐喜  张昆辉  黄惠良
作者单位:湛江师范学院信息科技学院,国立清华大学电子工程研究所,国立清华大学电子工程研究所 湛江524048,国立清华大学电子工程研究所,新竹300,新竹300,新竹300
基金项目:广东省教育厅自然科学基金;200048;
摘    要:以金属锌( Zn)和铝( Al)为靶材采用射频( RF)反应共溅射技术在低温( 2 0 0℃)玻璃衬底上沉积了铝掺杂氧化锌( Zn O∶Al)薄膜.运用扫描电子显微镜( SEM)、能量色散X射线谱( EDX)、表面轮廓仪(α- Step)、X射线衍射( XRD)和双光束紫外-可见光谱仪( U V- VIS)等分别对沉积样品的表面和断面的形貌结构、组成成分和光学特性进行了分析表征.研究了反应气体氧与氩流量比( O2 / Ar)和RF溅射功率对沉积样品的生长速率、结构特征和光电学性质的影响.结果表明,薄膜的成长速率强烈依赖于RF溅射功率,而薄膜的结构形貌和成分的化学配比则主要由反应气体流量比O2 / Ar

关 键 词:铝掺杂氧化锌(ZnO∶Al)薄膜    射频(RF)反应共溅射    织构    低温沉积    未退火
文章编号:0253-4177(2003)06-0606-06
修稿时间:2002年7月27日

Preparation and Characterization of Al Doped ZnO Thin Films Textured on Glass at Low Temperature by RF Reactive Co-Sputtering
Shao Lexi ,Chang Kuenhuei and Hwang Heuyliang.Preparation and Characterization of Al Doped ZnO Thin Films Textured on Glass at Low Temperature by RF Reactive Co-Sputtering[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(6):606-611.
Authors:Shao Lexi    Chang Kuenhuei and Hwang Heuyliang
Affiliation:Shao Lexi 1,2,Chang Kuenhuei 2 and Hwang Heuyliang 2
Abstract:
Keywords:
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