|
|||||
|
|
| 亚微米GaAs PHEMT器件的结构设计与优化 | |
| 引用本文： | 李拂晓,郑惟彬,康耀辉,黄庆安,林罡. 亚微米GaAs PHEMT器件的结构设计与优化[J]. 微波学报, 2007, 23(1): 52-55 |
| 作者姓名： | 李拂晓 郑惟彬 康耀辉 黄庆安 林罡 |
| 作者单位： | 1. 东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏省南京市,210000;南京电子器件研究所单片集成电路与模块电路国家重点试验室,江苏省南京市,210000 2. 南京电子器件研究所单片集成电路与模块电路国家重点试验室,江苏省南京市,210000 3. 东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏省南京市,210000 |
| 摘 要： | 主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完成流片实验。流片得到的0.25μm GaAs PHEMT器件的性能参数为:跨导gm=440mS/mm、截止频率fT=50GHz、最大振荡频率fmax>80GHz,显示出良好的DC和AC小信号特性。 |
| 关 键 词： | 砷化镓 膺配高电子迁移率晶体管 二维电子气 |
| 文章编号： | 1005-6122（2007）01-0052-04 |
| 收稿时间： | 2006-05-08 |
| 修稿时间： | 2006-09-02 |
The Design and Optimization of the Sub-micron GaAs PHEMT Device |
|
| LI Fu-xiao,ZHENG Wei-bin,KANG Yao-hui,HUANG Qing-an,LIN Gang. The Design and Optimization of the Sub-micron GaAs PHEMT Device[J]. Journal of Microwaves, 2007, 23(1): 52-55 | |
| Authors: | LI Fu-xiao ZHENG Wei-bin KANG Yao-hui HUANG Qing-an LIN Gang |
| Affiliation: | 1. Key laboratory of MEMS of the Ministry of Education, Southeast University 210096, China; 2. National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules, Nanjing Electronic Device Institute 210016, China |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaAs PHEMT 2DEG |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《微波学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《微波学报》下载免费的PDF全文 | |