3300 V高性能混合SiC模块研制

将Si基绝缘栅双极型晶体管（Insulated gate bipolar transistor,IGBT）芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布，开发了一种3 300 V等级混合SiC模块，对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析，并对标相同规格IGBT模块。混合SiC模块低空洞率焊接满足牵引领域高温度循环周次的要求，冗余式的连跳键合结构可以有效增强功率循环能力。采用双脉冲法测试动态性能，测试结果表明该混合SiC模块反向恢复时间减小了84%，反向恢复电流减小了89.5%，反向恢复能量减小了99%，一次开关产生的总损耗降低了43.3%。混合SiC模块消除了开关过程中电压和电流过冲现象，在高电压、大电流和高频率的应用工况下具有明显的优势。