| 能隙阶梯缓变结构Si1-xGex/Si光电探测器 |
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| 引用本文： | 罗志云,江若琏,郑有炓,臧岚,朱顺明,程雪梅,刘夏冰.能隙阶梯缓变结构Si1-xGex/Si光电探测器[J].高技术通讯,2000,10(6):10-12. |
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| 作者姓名： | 罗志云 江若琏 郑有炓 臧岚 朱顺明 程雪梅 刘夏冰 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 863计划!( 863 3 0 7 0 5 0 6( 0 6) )，国家自然科学基金!( 6963 60 10 )资助项目 |
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| 摘 要： | 提出了一种新结构Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光电探测器－能隙阶梯缓变结构的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＰＩＮ新近红外光电探测器。理论分析表明，能隙缓变增大了载流子的离化率。价带的不连续则有利于空穴离化，从而对载流子的收集有利，可获得高的光电响应。实验结果表明，该探测器具有良好的Ｉ－Ｖ特性，反向漏电低达０．１μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ。该探测器主峰值波长在０．９６μｍ。其光电流响应随着反应偏压的增加有明显的增大，在
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| 关 键 词： | 能隙梯度 光电响应度 红外光电探测器 |
Graded Band-gap Si1-xGex/Si Photodiode |
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| Lu Zhiyun,Jiang Ruolian,Zheng Youdou,Zang Lan,Zhu Shunming,Cheng Xuemei,Liu Xiabing.Graded Band-gap Si1-xGex/Si Photodiode[J].High Technology Letters,2000,10(6):10-12. |
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| Authors: | Lu Zhiyun Jiang Ruolian Zheng Youdou Zang Lan Zhu Shunming Cheng Xuemei Liu Xiabing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Graded band-gap Photoresponse Ionization Depletion layer |
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