HL—1M装置硼化膜的研究 |
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作者姓名: | 王明旭 张年满 |
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摘 要: | HL-1M装置采用C2B10H12蒸汽等离子体增强沉积技术对第一壁进行了原位硼化,在第一壁表面上形成一层半透明、非晶a-B/C:H膜。在单电极、1.2A/750V放电参数下,平均沉积速率为110nm/h,膜厚不均匀度为84%,B/C=0.6-2.0,B-C的结合能为97-99eV,与B/C值有关。膜层中有20-30%的硼是以B-C的形式存在,70-80%碳是以a-C:H形式存在,这是HL-1M装置
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关 键 词: | 硼化膜 托卡马克装置 聚变堆材料 |
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