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微流控芯片硅阳模的加工
引用本文:叶美英,殷学锋,方肇伦.微流控芯片硅阳模的加工[J].微细加工技术,2004(3):59-64.
作者姓名:叶美英  殷学锋  方肇伦
作者单位:浙江大学,微分析系统研究所,杭州,310028
基金项目:国家自然科学基金重大项目资助(20299030),国家高科技研究发展计划资助项目(2002AA421150)
摘    要:研究了单晶硅阳模的制作工艺。考察了光刻胶前烘和后烘的温度、刻蚀剂浓度、组成及刻蚀温度等因素对单晶硅阳模质量的影响。得出了单晶硅阳模制作的最佳条件,用AZA620光刻胶转移图形及二氧化硅为硅片刻蚀的牺牲层,前烘温度为90℃,后烘温度为120℃,刻蚀温度为60℃;刻蚀液组成为氢氧化钾23.4%,异丙醇14.9%,水61.7%。在该条件下制作的单晶硅阳模表面光亮,通道侧壁较光滑。用热压法可快速地将此阳模上的微通道复制于聚碳酸酯基片上,每片约需时5min。已成功地复制了200多片。

关 键 词:微加工  单晶硅阳模  微流控芯片
文章编号:1003-8213(2004)03-0059-06
修稿时间:2004年1月14日

Microfabrication of Silicon-mold Used for Microfluidic Chips
YE Mei-ying,YIN Xue-feng,FANG Zhao-lun.Microfabrication of Silicon-mold Used for Microfluidic Chips[J].Microfabrication Technology,2004(3):59-64.
Authors:YE Mei-ying  YIN Xue-feng  FANG Zhao-lun
Abstract:
Keywords:microfabrication  silicon mold  microfluidic chip
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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