| 多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟 |
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| 引用本文： | 许海霞,李钱光,杨毅,闵永泉,李志扬,刘武.多隧道结单电子动态存储器的Monte Carlo模拟[J].电子显微学报,2003,22(3):214-218. |
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| 作者姓名： | 许海霞 李钱光 杨毅 闵永泉 李志扬 刘武 |
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| 作者单位： | 华中师范大学,纳米技术实验室,湖北,武汉,430079 |
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| 基金项目： | 高等学校骨干教师资助计划，湖北省自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 本文采用Monte Carlo方法模拟了多隧道结单电子动态存储器的存储特性，考察了隧道结的个数、隧道结电容、隧道结电阻、脉冲电压幅度等参数对存储器的存储时间和饱和充电电荷的影响，并与宏观RC电路进行了比较。
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| 关 键 词： | 蒙特卡罗模拟 单电子动态存储器 多隧道结 隧道结电容 隧道结电阻 脉冲电压幅度 存储时间 充电电荷 |
| 文章编号： | 1000-6281(2003)03-0214-05 |
Monte Carlo simulation of a multi-tunnel-junction single-electron dynamic memory |
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| XU Hai xia,LI Qian guang,YANG Yi,MIN Yong quan,LI Zhi yang ,LIU Wu.Monte Carlo simulation of a multi-tunnel-junction single-electron dynamic memory[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2003,22(3):214-218. |
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| Authors: | XU Hai xia LI Qian guang YANG Yi MIN Yong quan LI Zhi yang LIU Wu |
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| Affiliation: | XU Hai xia,LI Qian guang,YANG Yi,MIN Yong quan,LI Zhi yang *,LIU Wu |
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| Abstract: | The paper simulated the behavior of a multiple tunnel junction single electron dynamic memory by means of Monte Carlo method. The storage time and total charging charge of the device under the influence of such parameters as the number, capacitance and resistance of tunnel junction and the magnitude of voltage pulse have been investigated separately and compared with that of a classic RC circuit. |
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| Keywords: | single electron memory device Monte Carlo simulation |
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