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| Si／SiC材料900℃时的氧化 | |
| 引用本文： | 吕振林,高积强.Si／SiC材料900℃时的氧化[J].材料导报,2000(Z10):268-270. |
| 作者姓名： | 吕振林 高积强 |
| 作者单位： | [1]西安理工大学 [2]西安交通大学材料科学与工程学院,西安 |
| 摘 要： | 研究了反应烧结碳化硅（Ｓｉ／ＳｉＣ）材料在９００℃时的氧化过程及添加Ｎｉ、Ａｌ元素对其氧化过程的影响。结果表明，Ｓｉ／ＳｉＣ材料的氧化过程遵循抛物线规律，并在Ｓｉ／ＳｉＣ材料氧化表面出现针状ＳｉＯ２。Ｓｉ／ＳｉＣ中添加Ｎｉ、Ａｌ元素后，氧化表面比较光滑，针状ＳｉＯ２消失，从而提高了其抗氧化能力。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 反应烧结 高温氧化 显微组织 |
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