退火对硫化后的P+ 型InP表面性能的影响 |
| |
引用本文: | 庄春泉,汤英文,龚海梅.退火对硫化后的P+ 型InP表面性能的影响[J].激光与红外,2005,35(11). |
| |
作者姓名: | 庄春泉 汤英文 龚海梅 |
| |
作者单位: | 中科院上海技术物理研究所红外传感技术国家重点实验室,上海200083 |
| |
摘 要: | 文章采用光致发光( PL)测试和X射线光电能谱(XPS)测试相结合的方法,对硫化前后P+型InP的PL光谱以及表面化学成分进行了分析,得到了退火对硫化过的InP表面性能的影响结果;同时得到了S在InP表面所成键的结构以及稳定性随温度的变化的情况。
|
关 键 词: | 光致发光 X射线光电子能谱 硫化 |
|
| 点击此处可从《激光与红外》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《激光与红外》下载全文 |
|