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| 一维Si纳米材料的研究进展 | |
| 引用本文： | 艾飞,刘岩,周燕飞,潘志雷.一维Si纳米材料的研究进展[J].材料导报,2004,18(Z2):93-97,105. |
| 作者姓名： | 艾飞 刘岩 周燕飞 潘志雷 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
| 摘 要： | 基于量子限域效应,一维Si纳米材料(硅纳米线等)具有体材料硅所不具备的特异的光学、电学、机械和化学性质,在纳光电子学领域具有潜在的应用价值.通过掺杂或与其它材料的复合,硅纳米线可以用于制作纳电子器件的关键组件,既能作为功能单元也能用于器件互连.综述了硅纳米线(硅纳米管)的制备方法、生长机制、性质及应用和近年来的研究新进展. |
| 关 键 词： | 硅纳米线 光致发光 量子限域效应 |
Recent Progress of One-dimension Silicon Nanomaterials |
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