| 二氧化钒薄膜研究的最近进展 |
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| 引用本文： | 刘金城,鲁建业,田雪松,掌蕴东,袁萍,王骐.二氧化钒薄膜研究的最近进展[J].哈尔滨工业大学学报,2002,34(4):570-572. |
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| 作者姓名： | 刘金城 鲁建业 田雪松 掌蕴东 袁萍 王骐 |
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| 作者单位： | 哈尔滨工业大学,可调谐激光技术国家重点实验室,黑龙江,哈尔滨,150001 |
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| 摘 要： | VO2在68℃左右发生低温半导体态到高温金属态的相变，其电学和光学性质发生突变，在热电开关和光存储介质方面有着广泛的应用，然而钒和氧作用的薄膜是钒的各种价态的氧化物如VO、V2O3、VO2、V2O3的混合体，要得到纯的VO2很难，人们做了很多工作来研究其电气化学的性质，并用了多种方法来镀制VO2薄膜，通过对VO2一些有代表性的研究成果，从薄膜、降低相变温度以及VO2应用前景等几个主要方面来介绍了VO2研究最近的一些进展。
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| 关 键 词： | 二氧化钒薄膜 相变温度 薄膜制备 非制冷红外探测器 |
| 文章编号： | 0367-6234(2002)04-0570-03 |
| 修稿时间： | 2002年3月10日 |
Recent progress in research on VO2 thin film |
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| LIU Jin cheng,LU Jian ye,TIAN Xue song,ZHANG Yun dong,YUAN Ping,WANG Qi.Recent progress in research on VO2 thin film[J].Journal of Harbin Institute of Technology,2002,34(4):570-572. |
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| Authors: | LIU Jin cheng LU Jian ye TIAN Xue song ZHANG Yun dong YUAN Ping WANG Qi |
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| Keywords: | VO 2 phase transition temperature film preparation |
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