| C镶嵌SiO2薄膜电致发光谱的数值分析 |
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| 引用本文： | 张国恒,马书懿,陈彦,张汉谋,徐小丽,魏晋军,孙小菁.C镶嵌SiO2薄膜电致发光谱的数值分析[J].功能材料,2008,39(1):145-147. |
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| 作者姓名： | 张国恒 马书懿 陈彦 张汉谋 徐小丽 魏晋军 孙小菁 |
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| 作者单位： | 西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;西北民族大学,电气工程学院,甘肃,兰州,730030;西北师范大学,物理与电子工程学院,甘肃,兰州,730070;西北民族大学,电气工程学院,甘肃,兰州,730030 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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教育部科学技术基金
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甘肃省重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜,在室温下测量了Au/镶嵌纳米碳粒氧化硅膜/p-Si结构的电致发光谱,电致发光谱显示,随着正向偏压的增加,来自该结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动,发光强度增大.利用位形坐标模型对C镶嵌SiO2薄膜的电致发光谱进行了分析,结果表明该结构的电致发光谱存在1.8和2.0eV左右的两个发光中心,分别来自SiO2层的非桥氧空位和纳米C团簇.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 纳米碳粒 电致发光 位形坐标 |
| 文章编号： | 1001-9731（2008）01-0145-03 |
| 收稿时间： | 2007-05-31 |
| 修稿时间： | 2007-08-29 |
Numerical study of electroluminescence from C embedded SiO2 films |
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| ZHANG Guo-heng,MA Shu-yi,CHEN Yan,ZHANG Han-mou,XU Xiao-li,WEI Jin-jun,SUN Xiao-jing.Numerical study of electroluminescence from C embedded SiO2 films[J].Journal of Functional Materials,2008,39(1):145-147. |
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| Authors: | ZHANG Guo-heng MA Shu-yi CHEN Yan ZHANG Han-mou XU Xiao-li WEI Jin-jun SUN Xiao-jing |
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| Abstract: | C embedded SiO2 films are deposited by the r. f. magnetron sputtering technique. The electroluminescence spectra from Au/C embedded SiO2 films/p-Si are measured at room temperature. EL band peak locates at around 650nm, and has no evident shift with increasing forward bias. The light centers of this structure are analyzed by using configuration coordinate. The results show that the luminescence centers of the spectra locate at about 1.8 and 2. 0eV, which originate from non-bridge oxygen vacancy of SiO2 layers and nano-C clusters respectively. |
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| Keywords: | r f magnetron sputtering nano-C particles electroluminescence configuration coordinate |
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