| 双层SiN 膜多晶硅太阳电池抗PID性能研究 |
| |
| 引用本文： | 罗旌旺,王祺,芮春保,孔凡建.双层SiN 膜多晶硅太阳电池抗PID性能研究[J].电源技术,2014(12). |
| |
| 作者姓名： | 罗旌旺 王祺 芮春保 孔凡建 |
| |
| 作者单位： | 江苏辉伦太阳能科技有限公司新能源研究中心,江苏南京,210032 |
| |
| 摘 要： | 以双层SiN 膜多晶硅太阳电池为研究对象，通过调整PECVD工艺参数制备不同折射率和厚度的双层氮化硅减反射膜太阳电池，并用玻璃、EVA和背板等将电池片封装成光伏组件，进行85℃、85%RH条件下组件电势诱导衰减(PID)实验。研究结果表明：(1)改变内层折射率和厚度保持外层较低的折射率时，双层氮化硅膜太阳电池均会发生严重的PID效应；(2)但随着外层折射率提高，电池PID效应显著减小，外层折射率≥2.15的电池PID实验600 h功率衰减小于5%；(3)双层氮化硅膜抗PID太阳电池的转化效率略低于普通太阳电池，但其组件的封装损失较小，与普通电池的组件功率相当，因此具有很好的应用前景。
|
| 关 键 词： | 多晶硅 太阳电池 电势诱导衰减 双层氮化硅膜 光伏组件 |
Research on anti-PID performance of double-layer SiN film poly-crystalline silicon solar cell |
| |
| LUO Jing-wang,WANG Qi,RUI Chun-bao,KONG Fan-jian.Research on anti-PID performance of double-layer SiN film poly-crystalline silicon solar cell[J].Chinese Journal of Power Sources,2014(12). |
| |
| Authors: | LUO Jing-wang WANG Qi RUI Chun-bao KONG Fan-jian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | poly-crystal ine silicon solar cel potential induced degradation double-layer film photovoltaic module |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
