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基于PSPICE的IGBT宽频等效电路模型研究
引用本文:王白音其其格,张卫东,陈中园,王志霞. 基于PSPICE的IGBT宽频等效电路模型研究[J]. 电源技术, 2014, 0(12)
作者姓名:王白音其其格  张卫东  陈中园  王志霞
作者单位:1. 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室,北京,102206
2. 国网智能电网研究院电力电子研究所,北京,100192
摘    要:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)阀是柔性直流换流系统的核心,建立实用准确的IGBT模型,对于模拟电磁骚扰源具有非常重要的意义。在IGBT等效电路基础上,采用复合模型法构造IGBT宽频等效电路模型,利用PSPICE软件的模型参数提取程序Parts分别提取功率MOSFET和BJT的模型参数。在此基础上,从IGBT的导电机理出发,用二极管的势垒电容表征其内部的压控寄生电容,建立其等效电路模型,并利用IGBT数据手册和计算相结合的方式提取寄生参数,仿真其稳态、动态特性。仿真结果和厂家给出的实测结果的对比,验证了该模型的正确性。

关 键 词:IGBT  PSPICE仿真  宽频等效电路模型  模型参数

Wide-band equivalent circuit model of IGBT based on PSPICE
WANG Baiyinqiqige,ZHANG Wei-dong,CHEN Zhong-yuan,WANG Zhi-xia. Wide-band equivalent circuit model of IGBT based on PSPICE[J]. Chinese Journal of Power Sources, 2014, 0(12)
Authors:WANG Baiyinqiqige  ZHANG Wei-dong  CHEN Zhong-yuan  WANG Zhi-xia
Abstract:
Keywords:IGBT  PSPICE simulation  wide-band equivalent circuit model  model parameter
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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