| N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究 |
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| 引用本文： | 连军,海潮和,韩郑生,赵洪辰,杨荣. N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究[J]. 电子器件, 2004, 27(1): 69-71 |
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| 作者姓名： | 连军 海潮和 韩郑生 赵洪辰 杨荣 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料，对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究，开发出了N 多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。nMOS和pMOS的驱动电流都比较大，且泄漏电流很小，在工作电压为3V时，1．2μm101级环振的单级延迟仅为50．5ps。
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| 关 键 词： | SOI SIMOX 全耗尽 CMOS |
| 文章编号： | 1005-9490(2004)01-0069-03 |
The Research of Fully-Depleted Thin Film SOI CMOS Devices and Circuits with N+ Poly Gate |
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| LIAN Jun,HAI Chao-he,HAN Zheng-sheng,ZHAO Hong-chen,YANG Rong. The Research of Fully-Depleted Thin Film SOI CMOS Devices and Circuits with N+ Poly Gate[J]. Journal of Electron Devices, 2004, 27(1): 69-71 |
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| Authors: | LIAN Jun HAI Chao-he HAN Zheng-sheng ZHAO Hong-chen YANG Rong |
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| Abstract: | Using SIMOX substrate, fully-depleted thin-film SOI. CMOS devices and circuits are investigated. The process of thin-film fully-depleted SOI CMOS devices and circuits with N + Poly Gate are successfully developed. The performance of devices and circuits are excellent. The drive current of nMOS or pMOS is strong, and their leakage current very weak. The propagation delay of every stage of in this 101 stage ring oscillator is only 50.5 ps with 3V supply. |
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| Keywords: | SOI SIMOX fully-depleted CMOS |
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