| 采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC |
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| 引用本文： | 刘洪丽 李树杰 张听 陈志军. 采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC[J]. 稀有金属材料与工程, 2005, 34(9): 1469-1472 |
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| 作者姓名： | 刘洪丽 李树杰 张听 陈志军 |
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| 作者单位： | 1. 北京航空航天大学,北京,100083
2. 陕西华兴航空机轮刹车系统有限责任公司第46研究所,陕西,兴平,713106 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（50271003）和中国航空基础科学基金资助项目（03H51024） |
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| 摘 要： | 采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响.结果表明：在1100℃～1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度.当连接温度为1300℃,连接压力为15kPa，经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169．1MPa。这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明，随着温度的逐步升高，聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构及成分分析显示：连接层为厚度2μm-3μm的SiCN无定形陶瓷，其结构较为均匀致密；连接层与基体间界面接合良好。
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| 关 键 词： | 陶瓷连接 SiC/Si3N4陶瓷先驱体 聚硅氮烷 反应烧结碳化硅（RBSiC） |
| 文章编号： | 1002-185X(2005)09-1469-04 |
| 收稿时间： | 2004-04-26 |
| 修稿时间： | 2004-10-28 |
Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using SiC/Si3N4 Preceramic Polymer |
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| Liu HongLi;Li ShuJie;Zhang Ting;Chen ZhiJun. Joining of Reaction-Bonded Silicon Carbide Using SiC/Si3N4 Preceramic Polymer[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2005, 34(9): 1469-1472 |
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| Authors: | Liu HongLi Li ShuJie Zhang Ting Chen ZhiJun |
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