自对准双极晶体管中的低频噪声

报导了用多晶硅做发射极的自对准n-p-n双极晶体管的低频噪声的初步研究情况。其中一些管子显示出一般扩散结晶体管中观察到的1／f规律不同的过量噪声谱。并且发现噪声谱形成S(f)随样品而异。例如，我们在同一芯片上的两个相邻的管子上，就观察到两种不同的形式S(f)－1/f和S(f)－1[1|(f/f0)^2]。我们认为，后者是由于在多晶硅－单晶硅界面处的氧化层势垒中载流于俘获造成的。其不均匀性可以说明噪声谱变化范围很宽的原因。