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| TATB的电子结构与成键图像 | |
| 引用本文： | 闵新民,朱磊,刘韩星. TATB的电子结构与成键图像[J]. 含能材料, 2004, 12(Z1): 537-539 |
| 作者姓名： | 闵新民 朱磊 刘韩星 |
| 作者单位： | 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070 |
| 基金项目： | 中国工程物理研究院化工材料研究所资助 |
| 摘 要： | 用离散变分密度泛函方法(DFT-DVM)研究了TATB分子的电子结构和成键图像.整个TATB分子上面离子的净电荷是正负相间的.C-N(硝基)共价键级比C-C和C-N(胺基)小,而氢键共价键级比上述各键小了一个数量级.总态密度费米能级处的禁带宽度约2.5eV.分态密度中,带负电的碳,氮和氧为相似的一类,带正电的为另一类.讨论了大π键,氢键,最高占据轨道及最低空轨道的成键图象. |
| 关 键 词： | TATB 电子结构 成键图像 离散高分密度泛函方法(PDF-DVW) |
Electronic Structure and Bonding Model of TATB |
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