二氧化硅/硅界面附近的金属杂质

我们用有意地进行了金属沾污的硅片,采用缺陷腐蚀和二次离子质谱测定法,研究了干O_2和O_2/HCl氧化过程中,二氧化硅/硅界面附近的金属杂质(Cu、Fe、Cr和Ni)的特性。各种金属在热氧化过程中的再分布情况是不相同的,Cu扩散到硅中并且倾向于被二氧化硅排斥,给出的浓度峰离界面0.3～1.2微米。Fe累积在二氧化硅/硅界面附近处,而Cr倾于累积在氧化物里,硅里面的浓度较低。O_2/HCl氧化对Cu杂质的吸收能力是极好的,而对Fe和Cr杂质的吸除能力则很差。Cu和Fe杂质沉积在二氧化硅/硅界面附近的硅里面,而Cr和Ni杂质沉积在二氧化硅/硅界面附近处的二氧化硅里面。