| P型硅光电二极管的特性 |
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| 引用本文： | 陈定钦. P型硅光电二极管的特性[J]. 半导体光电, 1989, 10(3): 28-31 |
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| 作者姓名： | 陈定钦 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所 |
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| 摘 要： | 本文报导了一种光照面积为φ2.5mm 的 P 型硅光电二极管的制造和电学特性。在0.9μm 的峰值波长时,电流灵敏度为0.5μA/μW。器件最小可探测功率可达3.6×10~(-9)W。由于采用保护环结构,使得其暗电流较小,器件的稳定性和可靠性都相当好。
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| 关 键 词： | 光电 二极管 硅 特性 |
Property of P-Type Silicon Photodiode |
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| Chen Dingqin Institute of Semiconductor,Academia Sinica. Property of P-Type Silicon Photodiode[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1989, 10(3): 28-31 |
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| Authors: | Chen Dingqin Institute of Semiconductor Academia Sinica |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Photodiode Device Property |
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