| 全耗尽SOI MOSFET自加热效应的模拟研究 |
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| 引用本文： | 朱世敏,侯春良,郭得峰.全耗尽SOI MOSFET自加热效应的模拟研究[J].重庆科技学院学报(自然科学版),2012,14(6):146-148. |
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| 作者姓名： | 朱世敏 侯春良 郭得峰 |
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| 作者单位： | 1. 东北大学秦皇岛分校,秦皇岛,066004
2. 燕山大学,秦皇岛,066004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(10804094);秦皇岛市科技研究与发展计划(201101A104) |
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| 摘 要： | 利用Silvaco软件模拟全耗尽SOI n沟道MOSFET器件的自加热效应.在温度300～500K、栅偏压2～10V范围内研究了该器件的ID-VD特性和器件的温度分布规律.在低温和高栅偏压时,SOI结构中自加热效应明显.此现象归因于低温和高栅偏压时,SOI n-MOSFET中的漏电流密度大,热载流子使品格升温迅速.
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| 关 键 词： | SOI Silvaco 模拟 自加热效应 |
The Simulation and Study of Self-heating Effects in Fully Depleted SOI MOSFETs |
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| ZHU Shimin
,
HOU Chunliang
,
GUO Defeng.The Simulation and Study of Self-heating Effects in Fully Depleted SOI MOSFETs[J].Journal of Chongqing University of Science and Technology:Natural Science Edition,2012,14(6):146-148. |
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| Authors: | ZHU Shimin HOU Chunliang GUO Defeng |
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| Affiliation: | 1.Qinhuangdao Branch of Northeastern university,Qinhuangdao 066004;2.Yanshan University,Qinhuangdao 066004) |
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| Abstract: | |
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