|
|||||
|
|
| 一种高压ns级脉冲形成电路 | |
| 作者姓名： | 贺元吉 张亚洲 李传胪 |
| 作者单位： | 国防科技大学理学院!长沙410073 |
| 基金项目： | 国家 8 6 3激光技术领域资助项目 |
| 摘 要： | 分析了脉冲形成电路参数对脉冲上升时间的影响 ,设计了一种集脉冲电容器、脉冲整形器、电容分压器和匹配负载为一体的 ns级脉冲形成电路。该电路采用同轴结构 ,波阻抗为 5 0 Ω,电容分压器的分压比为 932 ,频率响应高达 1GHz。脉冲形成电路能产生脉冲前沿为 2 ns、后沿为 1.8ns、底宽为 5 .6 ns、峰值为 71k V的高压窄脉冲 |
| 关 键 词： | 脉冲发生器 电容分压器 纳秒脉冲 |
| 修稿时间： | 2000-06-26 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |