| C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究 |
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| 引用本文： | 吴雪梅,诸葛兰剑,柳襄怀. C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的机理研究[J]. 功能材料, 2005, 2(Z1): 28-30 |
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| 作者姓名： | 吴雪梅 诸葛兰剑 柳襄怀 |
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| 作者单位： | 1. 苏州大学,物理系,江苏省薄膜材料重点实验室,江苏,苏州,215006
2. 中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10275047);973重大项目基础研究资助项目(G2000067207-2) |
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| 摘 要： | 利用双离子束溅射和射频磁控溅射技术在Mo基底上分别制备了C膜和Hf膜,并利用化学方法制备了BaO涂层以模拟行波管栅极结构,随后在N2保护下,通过在900～1300K范围内退火,研究样品处于高温工作环境下表面相结构和成分的变化,以此解释了C、Hf薄膜抑制栅极电子发射的工作机理.
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| 关 键 词： | 栅发射 C薄膜 Hf薄膜 BaO |
| 修稿时间： | 2005-05-20 |
The mechanism of suppressing grid emission using carbon or hafnium thin film |
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| WU Xue-mei,ZHUGE Lan-jian,LIU Xiang-huai. The mechanism of suppressing grid emission using carbon or hafnium thin film[J]. Journal of Functional Materials, 2005, 2(Z1): 28-30 |
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| Authors: | WU Xue-mei ZHUGE Lan-jian LIU Xiang-huai |
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