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| 用于室温10.6μm光电探测器的材料ZnHgTe | |
| 作者姓名： | 陈林 李捍东 |
| 作者单位： | 上海技术物理所，上海技术物理所 |
| 摘 要： | 本文报导了室温下的10.6μm ZnHgTc光电探测器。采用淬火-退火工艺生长了掺铜及未掺杂的Zn_(0.115)Hg_(0.885)Te体晶.用X-射线晶格常数测量法测得了均匀性为±0.002mol.测量了本征和掺铜两种p型材料的吸收系数与波长、光电导寿命、霍尔浓度和迁移率的函数关系.已制成红外光电导体并给出其性能.器件的相对稳定性和硬度使得器件的制作要比HgCdTe更容易些.并且发现,在10.6μm处Hg_(0.885)Zn_(0.115)Te的品质因素ατ/n,比HgCdTe至少高出3倍.看来选择最恰当的组分、掺杂及几何形状的HgZnTe能达到10~8cmHz~(1/2)/W的探测率. |
| 关 键 词： | 光电探测器 碲锌汞 淬火-退火工艺 掺杂晶体 |
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