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粉料表面氧含量对GPS烧结氮化硅陶瓷显微结构的影响
引用本文:代建清 马天 张立明 黄勇. 粉料表面氧含量对GPS烧结氮化硅陶瓷显微结构的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2005, 34(2): 189-193
作者姓名:代建清 马天 张立明 黄勇
作者单位:清华大学,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084
基金项目:973 重点基础研究项目资助(G2000067204-01),清华大学基金项目(JC20002035)
摘    要:通过研究GPS烧结氮化硅陶瓷的室温和高温抗弯强度、晶界相含量和成分以及晶界析晶相随氮化硅粉料表面氧含量的变化规律,发现当粉料表面氧含量低于1.35mg/m^2时,氮化硅陶瓷在室温下的抗弯强度基本保持不变。试样在1200℃时的抗弯强度明显低于室温强度,且随着粉料表面氧含量的增加有一最高值。由于烧结助剂引入的O和Si在烧结过程中的还原气氛下发生反应而损失,烧结体中晶界相的实际含量显著低于粉料中烧结助剂的加入量。随粉料表面氧含量的增加,氮化硅陶瓷烧结体中的二次析晶相α-Y2Si2O7和β-Y2Si2O7消失,只有β-Si3N4晶相和晶界玻璃相存在。

关 键 词:氮化硅 表面氧含量 晶界相 析晶相
文章编号:1002-185X(2005)02-0189-05
修稿时间:2003-06-16

Effect of Powder Surface Oxygen Content on Microstructure of GPS Silicon Nitride Ceramics
Dai Jianqing,Ma Tian,Zhang Liming,Huang Yong. Effect of Powder Surface Oxygen Content on Microstructure of GPS Silicon Nitride Ceramics[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2005, 34(2): 189-193
Authors:Dai Jianqing  Ma Tian  Zhang Liming  Huang Yong
Abstract:
Keywords:silicon nitride  surface oxygen content  intergranular phase  devitrification phase
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