| nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 |
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| 引用本文： | 彭英才,刘明,余明斌,李月霞,奚中和,何宇亮.nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析[J].半导体学报,1998,19(8):583-590. |
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| 作者姓名： | 彭英才 刘明 余明斌 李月霞 奚中和 何宇亮 |
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| 作者单位： | 河北大学电子与信息工程系，北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室，西安理工大学物理系，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，北京大学无线电电子学系 |
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| 摘 要： | 采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向偏压为－７～－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜中具有无序排布且粒径大小不一的Ｓｉ微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象．如果进一步改进膜层生长工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Ｓｉ微晶粒的
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