| 退火对锗单晶导电性能的影响 |
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| 引用本文： | 王思爱,苏小平,冯德伸,尹士平. 退火对锗单晶导电性能的影响[J]. 稀有金属, 2007, 31(4): 511-514 |
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| 作者姓名： | 王思爱 苏小平 冯德伸 尹士平 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京,100088 |
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| 摘 要： | 退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响。退火温度超过550℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型。同时,退火温度超过550℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果。
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| 关 键 词： | 锗单晶 退火 导电型号 电阻率 |
| 文章编号： | 0258-7076（2007）04-0511-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-25 |
Effect of Annealing Process on Electrical Properties of Single-Crystal Germanium |
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| Wang Siai,Su Xiaoping,Feng Deshen,Yin Shiping. Effect of Annealing Process on Electrical Properties of Single-Crystal Germanium[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2007, 31(4): 511-514 |
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| Authors: | Wang Siai Su Xiaoping Feng Deshen Yin Shiping |
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| Affiliation: | Beijing Infrared Optical Technology Co.Ltd.,Beijing General Research Institute for Non-Ferrous Metals,Beijing 100088,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | single-crystal germanium anneal conductivity type resistivity |
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