| 原子层沉积Al2O3薄膜钝化n型单晶硅表面的研究 |
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| 引用本文： | 李想,颜钟惠,刘阳辉,竺立强. 原子层沉积Al2O3薄膜钝化n型单晶硅表面的研究[J]. 材料导报, 2013, 27(8): 40-43 |
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| 作者姓名： | 李想 颜钟惠 刘阳辉 竺立强 |
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| 作者单位： | 1. 湖南大学物理与微电子科学学院微纳光电教育部重点实验室,长沙,410082
2. 中国科学院宁波材料技术与工程研究院,宁波,315201 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，宁波市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15nm、30nm和100nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理。采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的化学成分,在此基础上研究了薄膜厚度及退火条件对钝化效果的影响,并分析了钝化机理。结果表明:ALD技术制备的Al2O3薄膜经退火后可使n型单晶硅SRV值降低到7cm/s,表面钝化效果显著。
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| 关 键 词： | 太阳能电池 晶体硅钝化 原子层沉积 Al2O3薄膜 |
n-type Crystalline Si Surface Passivated by Al2O3 Thin Films Synthesized by Atomic Layer Deposition |
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| LI Xiang,YAN Zhonghui,LIU Yanghui,ZHU Liqiang. n-type Crystalline Si Surface Passivated by Al2O3 Thin Films Synthesized by Atomic Layer Deposition[J]. Materials Review, 2013, 27(8): 40-43 |
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| Authors: | LI Xiang YAN Zhonghui LIU Yanghui ZHU Liqiang |
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| Affiliation: | 1 Key Laboratory for Micro-Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education,College of Physics and Micro-electronics,Hunan University,Changsha 410082;2 Ningbo Institute of Material Technology and Engineering,Chinese Academy of Sciences,Ningbo 315201) |
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