首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

碳多孔体中碳化硅晶须的原位生长
引用本文:陈康华,肖泽强.碳多孔体中碳化硅晶须的原位生长[J].耐火材料,1994(3).
作者姓名:陈康华  肖泽强
作者单位:东北大学
摘    要:根据碳化硅晶须生长的特定驱动力要求,运用多孔体中气相传输模型预测了碳化硅晶须厚位生长的条件。预测结果与实验结果一致。

关 键 词:碳复合材料,碳化硅,晶体,生长,晶须,固态反应

In-situ growth of Sic whiskers in porous carbon
Chen Kanghua,Xiao Zeqing.In-situ growth of Sic whiskers in porous carbon[J].Refractories,1994(3).
Authors:Chen Kanghua  Xiao Zeqing
Abstract:According to specific driving force for the growth of Sic whiskers,the process parameters for the in-situ growth of SiCwhiskers in porous carbon was predicted with a model of gas transfer in the porous body.The predicted parameters were verified by experimernts.
Keywords:Carbon matirx composite silicon carbide Crystal growth Whisker Solid state reaction  
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号