| 离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响 |
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| 引用本文： | 李联合,潘钟,张伟,林耀望,王学宇,吴荣汉. 离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响[J]. 半导体学报, 2001, 22(1): 31-34 |
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| 作者姓名： | 李联合 潘钟 张伟 林耀望 王学宇 吴荣汉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子开放实验室，北京100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G2000036603; |
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| 摘 要： | 研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和 Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响 .研究表明离子损伤是影响 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱质量的关键因素 .去离子磁场能有效地去除了等离子体活化产生的氮离子 .对于使用去离子磁场生长的 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱样品 ,X射线衍射测量和 PL 谱测量都表明样品的质量被显著地提高 .Ga In As量子阱的 PL 强度已经提高到可以和同样条件下生长的 Ga In As量子阱相比较 .研究也表明使用的磁场强度越强 ,样品的光学质量提高越明显
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| 关 键 词： | Ga(In)NAs 分子束外延(MBE) 离子损伤 X射线衍射 光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）01-0031-04 |
| 修稿时间： | 2000-07-11 |
Wells Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy: Effects of Ion Damage |
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| LI Lian-he,PAN Zhong,ZHANG Wei,LIN Yao-wang,WANG Xue-yu,WU Rong-han. Wells Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy: Effects of Ion Damage[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2001, 22(1): 31-34 |
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| Authors: | LI Lian-he PAN Zhong ZHANG Wei LIN Yao-wang WANG Xue-yu WU Rong-han |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ga(In)NAs molecular beam epitaxy (MBE) ion damage X-ray photoluminescence (PL) |
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