| 功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计 |
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| 引用本文： | 徐儒,郭伟玲,孙晓,陈艳芳,李松宇,邹德恕,孙捷. 功率AlGaN/GaN肖特基二极管结构优化设计[J]. 微电子学, 2016, 46(4): 553-557 |
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| 作者姓名： | 徐儒 郭伟玲 孙晓 陈艳芳 李松宇 邹德恕 孙捷 |
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| 作者单位： | 北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124,北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124,北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124,北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124,北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124,北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124,北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124 |
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| 基金项目： | 国家863基金资助项目(2015AA033305) |
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| 摘 要： | 利用Silvaco-ATLAS软件设计了AlGaN/GaN肖特基二极管(SBD)的基本结构,主要针对功率器件的关键参数—击穿电压进行仿真模拟,分析对比了AlGaN/GaN异质结中Al的组分、二极管阳极与阴极的间距Lac、场板的引入和长度以及FP结构下钝化层Si3N4的厚度t对二极管击穿特性的影响。结果显示,Lac的增加、场板的引入和FP结构下钝化层厚度t的变化均对二极管的击穿特性有所优化,但同时,Al组分的增加和Lac的增加对二极管引入了不同程度的负面影响。仿真结果对器件的实际制作具有一定的指导意义。
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN肖特基二极管 击穿特性 结构优化 |
Optimization Design of Structure for Power AlGaN/GaN Schottky Diode |
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| XU Ru,GUO Weiling,SUN Xiao,CHEN Yanfang,LI Songyu,ZOU Deshu and SUN Jie. Optimization Design of Structure for Power AlGaN/GaN Schottky Diode[J]. Microelectronics, 2016, 46(4): 553-557 |
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| Authors: | XU Ru GUO Weiling SUN Xiao CHEN Yanfang LI Songyu ZOU Deshu SUN Jie |
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| Affiliation: | The Key Lab. of Optoelectronics Technol. Ministry of Education, Beijing Univ. of Techno., Beijing 100124, P. R. China,The Key Lab. of Optoelectronics Technol. Ministry of Education, Beijing Univ. of Techno., Beijing 100124, P. R. China,The Key Lab. of Optoelectronics Technol. Ministry of Education, Beijing Univ. of Techno., Beijing 100124, P. R. China,The Key Lab. of Optoelectronics Technol. Ministry of Education, Beijing Univ. of Techno., Beijing 100124, P. R. China,The Key Lab. of Optoelectronics Technol. Ministry of Education, Beijing Univ. of Techno., Beijing 100124, P. R. China,The Key Lab. of Optoelectronics Technol. Ministry of Education, Beijing Univ. of Techno., Beijing 100124, P. R. China and The Key Lab. of Optoelectronics Technol. Ministry of Education, Beijing Univ. of Techno., Beijing 100124, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN schottky diode Breakdown characteristics Structure optimization |
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