| 一种适用于SoC的瞬态增强型线性稳压器 |
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| 引用本文： | 张琪,胡佳俊,陈后鹏,李喜,王倩,范茜,金荣,宋志棠.一种适用于SoC的瞬态增强型线性稳压器[J].微电子学,2016,46(2):211-214, 223. |
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| 作者姓名： | 张琪 胡佳俊 陈后鹏 李喜 王倩 范茜 金荣 宋志棠 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050 |
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| 基金项目： | 国家集成电路重大专项资助项目(2009ZX02023-003)；中国科学院先导性项目(XDA09020402)；国家自然科学 基金资助项目(61176122);国家重点基础研究发展计划资助项目(2013CBA01900) |
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| 摘 要： | 为满足SoC系统负载快速变化的要求,提出了一种新型摆率增强型片上LDO系统。通过增加有效的内部检测电路,使LDO的功率管栅极电压可以快速地响应输出负载跳变,提高电路响应速度。采用中芯国际40 nm CMOS工艺模型,对电路进行仿真。仿真结果表明,当LDO的负载电流以100 mA/μs跳变时,电路的最大上冲电压为110 mV,下冲电压为230 mV,恢复时间分别为1.45 μs和1.6 μs。同时,在2 V电源电压下,电路的静态电流只有42 μA。
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| 关 键 词： | 瞬态增强 线性稳压器 片上系统 |
| 收稿时间： | 2015/3/20 0:00:00 |
A Transient Response Enhanced LDO for SoC |
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| ZHANG Qi,HU Jiajun,CHEN Houpeng,LI Xi,WANG Qian,FAN Xi,JIN Rong and SONG Zhitang.A Transient Response Enhanced LDO for SoC[J].Microelectronics,2016,46(2):211-214, 223. |
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| Authors: | ZHANG Qi HU Jiajun CHEN Houpeng LI Xi WANG Qian FAN Xi JIN Rong and SONG Zhitang |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, P. R. China,State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, P. R. China,State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, P. R. China,State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, P. R. China,State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, P. R. China,State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, P. R. China,State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, P. R. China and State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Micro-System and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Transient response enhancement LDO SoC |
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