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一种新型片上全差分电感的设计
引用本文:王德志,任志雄,顾期斌.一种新型片上全差分电感的设计[J].微电子学,2016,46(6):818-821.
作者姓名:王德志  任志雄  顾期斌
作者单位:湖北大学 物理与电子科学学院, 武汉 430062;铁电压电材料与器件湖北省重点实验室, 武汉 430062,湖北大学 物理与电子科学学院, 武汉 430062,湖北第二师范学院 建筑与材料工程系, 武汉 430205
基金项目:湖北省自然科学基金资助项目(2013CFB014); 武汉市应用基础研究计划资助项目(2014010101010006)
摘    要:提出了一种新型的片上全差分电感结构。电感采用全对称的几何形状,消除了传统差分电感因跳线引起的失配,提高了差分电感的性能。基于TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺,对设计的全差分电感进行流片与测量,结果表明,差分电感两端口之间的失配量比传统差分电感下降了28%。

关 键 词:片上电感    差分    无源器件

Design of a Novel Fully Differential On-Chip Inductor
WANG Dezhi,REN Zhixiong and GU Qibin.Design of a Novel Fully Differential On-Chip Inductor[J].Microelectronics,2016,46(6):818-821.
Authors:WANG Dezhi  REN Zhixiong and GU Qibin
Affiliation:Faculty of Physics and Electronic Technology, Hubei University, Wuhan 430062, P.R.China;Hubei Key Laboratory of Ferro & Piezoelectric Materials and Devices, Wuhan 430062, P.R.China,Faculty of Physics and Electronic Technology, Hubei University, Wuhan 430062, P.R.China and Faculty of Materials and Architectural Engineering, Hubei University of Education, Wuhan 430205, P.R.China
Abstract:
Keywords:On-chip inductor  Differential  Passive device
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