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一种低电压低功耗高PSRR CMOS基准电路
引用本文:杨峰,石春琦,张润曦,赖宗声.一种低电压低功耗高PSRR CMOS基准电路[J].微电子学,2016,46(6):758-761, 776.
作者姓名:杨峰  石春琦  张润曦  赖宗声
作者单位:华东师范大学 微电子电路与系统研究所, 上海 200062,华东师范大学 微电子电路与系统研究所, 上海 200062,华东师范大学 微电子电路与系统研究所, 上海 200062,华东师范大学 微电子电路与系统研究所, 上海 200062
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61306034,5); 上海市科委资助项目(14DZ2260800)
摘    要:设计了一种工作在亚阈值区的高精度、低电压、低功耗CMOS基准电路。电路采用0.18 μm CMOS工艺实现,在1.2 V电源电压下,输出202 mV的基准电压,在-40 ℃~130 ℃范围内的温度系数为6.5×10-5/℃,消耗2.46 μA电流。电源电压从1.1 V变化到3.6 V时,输出基准电压仅变化0.336 mV。该基准电路的电源电压抑制比(PSRR)在直流处达到-93 dB,10 MHz处达到-63 dB。设计了一种多路快速启动电路,只需13 μs即可完成启动。利用高阈值电压晶体管与普通阈值电压晶体管的Vth之差作为负温度系数电压源,使输出基准电压对工艺角不敏感。

关 键 词:基准电压    低电压    低功耗    高PSRR    工艺角

A Low-Voltage Low-Power High-PSRR CMOS Voltage Reference
YANG Feng,SHI Chunqi,ZHANG Runxi and LAI Zongsheng.A Low-Voltage Low-Power High-PSRR CMOS Voltage Reference[J].Microelectronics,2016,46(6):758-761, 776.
Authors:YANG Feng  SHI Chunqi  ZHANG Runxi and LAI Zongsheng
Affiliation:Institute of Microelectronics Circuits & System, East China Normal University, Shanghai 200062, P. R. China,Institute of Microelectronics Circuits & System, East China Normal University, Shanghai 200062, P. R. China,Institute of Microelectronics Circuits & System, East China Normal University, Shanghai 200062, P. R. China and Institute of Microelectronics Circuits & System, East China Normal University, Shanghai 200062, P. R. China
Abstract:
Keywords:Voltage reference  Low voltage  Low power  High PSRR  Process corner
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