| 一种高性能曲率补偿带隙基准源的设计 |
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| 引用本文： | 李睿,冯全源.一种高性能曲率补偿带隙基准源的设计[J].微电子学,2016,46(3):328-331, 335. |
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| 作者姓名： | 李睿 冯全源 |
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| 作者单位： | 西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756,西南交通大学 微电子研究所, 成都 611756 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目(61271090)；四川省科技支撑计划资助项目(2015GZ0103) |
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| 摘 要： | 在传统带隙基准的基础上,利用曲率补偿和预稳压结构,设计了一种高性能带隙基准源。利用MOS管在亚阈值区域时的指数特性,对基准电压进行曲率补偿,使用预稳压结构提高电源抑制能力。该电路结构简单,实现了较宽的电压输入范围(2.5~10 V)。在UMC 0.25 μm BCD 工艺上进行仿真,结果表明,电源电压为2.5~10 V,基准电压变化峰峰值为142 μV；温度在-40 ℃~150 ℃内,电路的温度系数为8.0×10-7/℃；低频时,电源抑制比为-95 dB；电源电压为5 V时,静态功耗电流为10.4 μA。
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| 关 键 词： | 带隙基准 亚阈值 预稳压 温度系数 |
Design of a High Performance Curvature Compensation Bandgap Reference |
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| LI Rui and FENG Quanyuan.Design of a High Performance Curvature Compensation Bandgap Reference[J].Microelectronics,2016,46(3):328-331, 335. |
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| Authors: | LI Rui and FENG Quanyuan |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University, Chengdu 611756, P. R. China and Institute of Microelectronics, Southwest Jiaotong University, Chengdu 611756, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Bandgap reference Sub-threshold Pre-regulator Temperature coefficient |
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