| 一种高效率F类功率放大器芯片的设计 |
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| 引用本文： | 郑耀华,林俊明,陈思弟,章国豪.一种高效率F类功率放大器芯片的设计[J].微电子学,2016,46(2):183-186. |
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| 作者姓名： | 郑耀华 林俊明 陈思弟 章国豪 |
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| 作者单位： | 广东工业大学, 广州 510006,广东工业大学, 广州 510006,广东工业大学, 广州 510006,广东工业大学, 广州 510006 |
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| 基金项目： | 广东省领军人才专项资助项目(400130002) |
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| 摘 要： | 介绍了一种简单的具有谐波调谐功能的输出匹配网络,可实现2次谐波短路和3次谐波开路。利用该输出匹配网络,基于InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一个工作于2 GHz的高效率F类功率放大器,并通过搭载基板实现小型化芯片的研制。芯片测试结果表明,该功率放大器的小信号增益为35 dB,1 dB压缩点为34 dBm,饱和输出功率为35.3 dBm,效率为57%,并具有较好的谐波抑制性能。
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| 关 键 词： | 功率放大器 F类 异质结双极型晶体管 高效率 |
| 收稿时间： | 2015/3/10 0:00:00 |
Design of a Highly Efficient Class-F Power Amplifier Chip |
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| ZHENG Yaohu,LIN Junming,CHEN Sidi and ZHANG Guohao.Design of a Highly Efficient Class-F Power Amplifier Chip[J].Microelectronics,2016,46(2):183-186. |
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| Authors: | ZHENG Yaohu LIN Junming CHEN Sidi and ZHANG Guohao |
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| Affiliation: | Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, P. R. China,Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, P. R. China,Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, P. R. China and Guangdong University of Technology, Guangzhou 510006, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Power amplifier Class-F Hetero-junction bipolar transistor High efficiency |
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