| 一种瞬态增强无片外电容LDO电路 |
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| 引用本文： | 周杭军,陈志铭,王兴华.一种瞬态增强无片外电容LDO电路[J].微电子学,2016,46(5):655-658. |
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| 作者姓名： | 周杭军 陈志铭 王兴华 |
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| 作者单位： | 北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081,北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081,北京理工大学 微电子技术研究所, 北京 100081 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61201040,61301006) |
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| 摘 要： | 基于CSMC 0.18 μm工艺,设计了一款瞬态增强的无片外电容LDO。设计误差放大器时,采用改进的第2级放大器提高功率管栅端的充放电速度,从而提高瞬态响应。采用嵌套密勒补偿方式来保证LDO的稳定性。仿真结果表明,输入电压为2~4.5 V时,LDO的输出电压为1.8 V,负载电流在1~300 mA之间具有良好的稳定性,响应时间为1.4 μs,最大过冲电压为84 mV。
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| 关 键 词： | 无片外电容 低功耗 快速瞬态响应 线性稳压器 |
| 收稿时间： | 2015/10/26 0:00:00 |
A Fast Transient Response Capacitor-Free LDO |
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| ZHOU Hangjun,CHEN Zhiming and WANG Xinghua.A Fast Transient Response Capacitor-Free LDO[J].Microelectronics,2016,46(5):655-658. |
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| Authors: | ZHOU Hangjun CHEN Zhiming and WANG Xinghua |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China,Institute of Microelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China and Institute of Microelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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