| CMOS衬底调制阈值调整型RF-DC整流器 |
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| 引用本文： | 李媛媛,韦保林,韦雪明,徐卫林,段吉海. CMOS衬底调制阈值调整型RF-DC整流器[J]. 微电子学, 2016, 46(5): 667-671 |
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| 作者姓名： | 李媛媛 韦保林 韦雪明 徐卫林 段吉海 |
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| 作者单位： | 桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林, 541004,桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林, 541004,桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林, 541004,桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林, 541004,桂林电子科技大学 广西精密导航技术与应用重点实验室, 广西 桂林, 541004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61166004,61264001,61161003)；广西自然科学基金资助项目(2014GXNSFAA11-8386,2013GXNSFAA019333,2013GXNSFAA019335) |
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| 摘 要： | 基于CMOS交叉耦合桥式射频整流器结构,在MOS整流管的栅极与衬底之间引入耦合电容,利用衬底调制效应动态调整MOS整流管的阈值电压,从而提高射频整流器的输出电压,减小稳定时间。对整流器工作原理进行了分析,对电路进行了仿真。结果表明,改进后的CMOS交叉耦合桥式整流器在输入功率为－16 dBm@900 MHz时,输出电压为1.48 V,输出电压和稳定时间分别比传统电路提高了13 mV和22 μs。
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| 关 键 词： | 射频能量收集整流器 CMOS交叉耦合桥式整流器 衬底调制效应 |
| 收稿时间： | 2015-10-19 |
A CMOS RF-DC Rectifier with Body Effect and Threshold Adjustment |
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| LI Yuanyuan,WEI Baolin,WEI Xueming,XU Weilin and DUAN Jihai. A CMOS RF-DC Rectifier with Body Effect and Threshold Adjustment[J]. Microelectronics, 2016, 46(5): 667-671 |
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| Authors: | LI Yuanyuan WEI Baolin WEI Xueming XU Weilin DUAN Jihai |
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| Affiliation: | Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, Guangxi 541004, P. R. China,Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, Guangxi 541004, P. R. China,Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, Guangxi 541004, P. R. China,Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, Guangxi 541004, P. R. China and Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, Guangxi 541004, P. R. China |
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