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一种低功耗无片外电容LDO的设计
引用本文:梁绪亮,许高斌,解光军,程心,易茂祥.一种低功耗无片外电容LDO的设计[J].微电子学,2016,46(2):202-206.
作者姓名:梁绪亮  许高斌  解光军  程心  易茂祥
作者单位:合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61401137,61371025)
摘    要:基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款输入电压为1.8 V、输出电压为1.6 V的低功耗无片外电容低压差线性稳压器(LDO),其静态电流仅为5 μA。该电路采用一种新型摆率增强电路,通过检测输出电压的变化实现对功率管的瞬态调节。片内采用密勒补偿使主次极点分离,整个系统在负载范围内具有良好的稳定性。仿真结果显示,该LDO在负载电流以99 mA/1 μs跳变时,输出电压下冲为59 mV,上冲为60 mV,响应时间约为1.7 μs。

关 键 词:低压差稳压器    摆率增强电路    瞬态响应    静态电流
收稿时间:2015/1/18 0:00:00

Design of a Low Power Capacitor-Less LDO
LIANG Xuliang,XU Gaobin,XIE Guangjun,CHENG Xin and YI Maoxiang.Design of a Low Power Capacitor-Less LDO[J].Microelectronics,2016,46(2):202-206.
Authors:LIANG Xuliang  XU Gaobin  XIE Guangjun  CHENG Xin and YI Maoxiang
Affiliation:School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China,School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China,School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China,School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China and School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China
Abstract:
Keywords:Low-dropout regulator  Slew-rate enhanced circuit  Transient response  Quiescent current
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