| 一种新型4H-SiC双极结型晶体管的研究 |
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| 引用本文： | 仇坤,倪炜江,牛喜平,梁卫华,陈彤,刘志弘. 一种新型4H-SiC双极结型晶体管的研究[J]. 微电子学, 2016, 46(3): 412-414, 418 |
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| 作者姓名： | 仇坤 倪炜江 牛喜平 梁卫华 陈彤 刘志弘 |
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| 作者单位： | 泰科天润半导体科技北京有限公司, 北京 100192,泰科天润半导体科技北京有限公司, 北京 100192,泰科天润半导体科技北京有限公司, 北京 100192,泰科天润半导体科技北京有限公司, 北京 100192,泰科天润半导体科技北京有限公司, 北京 100192,清华大学, 北京 100084 |
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| 摘 要： | 研制了一种功率型4H-SiC双极结型晶体管。通过采用深能级降低工艺和一氧化氮退火钝化工艺,提高了电流增益。详细研究了发射极-基极几何结构与电流增益的关系,发现随着发射极线宽或发射极-基极间距的逐渐增加,最大电流增益也逐渐提高并趋于饱和。器件在反向阻断电压1 200 V时漏电流为5.7 μA。在基极电流为160 mA时集电极电流达11 A,电流增益达到68。
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| 关 键 词： | 4H-SiC 双极晶体管 电流增益 击穿电压 |
Research of a Novel 4H-SiC Bipolar Junction Transistor |
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| QIU Kun,NI Weijiang,NIU Xiping,LIANG Weihu,CHEN Tong and LIU Zhihong. Research of a Novel 4H-SiC Bipolar Junction Transistor[J]. Microelectronics, 2016, 46(3): 412-414, 418 |
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| Authors: | QIU Kun NI Weijiang NIU Xiping LIANG Weihu CHEN Tong LIU Zhihong |
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| Affiliation: | Global Power Technology Beijing Co., Ltd., Beijing 100192, P.R.China,Global Power Technology Beijing Co., Ltd., Beijing 100192, P.R.China,Global Power Technology Beijing Co., Ltd., Beijing 100192, P.R.China,Global Power Technology Beijing Co., Ltd., Beijing 100192, P.R.China,Global Power Technology Beijing Co., Ltd., Beijing 100192, P.R.China and Tsinghua University, Beijing 100084, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 4H-SiC Bipolar junction transistor Current gain Breakdown voltage |
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