用于保护托卡马克第一壁和偏滤器的厚碳化硼涂层 |
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引用本文: | O.I.Buzhinskij 华和 等.用于保护托卡马克第一壁和偏滤器的厚碳化硼涂层[J].国外核聚变,2002(4):16-29. |
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作者姓名: | O.I.Buzhinskij 华和 |
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摘 要: | 本文评述了用于保护受到高能热通量的托卡马克内表面的候选材料的各种碳化硼涂层的特性。这样的涂层可用各种方法生成:借助于氯化物和氟化物技术的化学气相沉积、气体转换、等离子体喷涂及反应-烧结。与纯碳材料相反,B4C具有低得多的化学和高温溅射,能够吸附氧和降低氢再循环。与薄的硼化膜相比,厚涂层能经受住象托卡马克偏滤器中那样的高热通量。比较分析表明,由扩散法(比如氟化物CVD和气体转换)形成的涂层更加能耐受热负载,而且最有前途的候选涂层之一是氟化物CVD涂层。
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关 键 词: | 托卡马克 第一壁 偏滤器 碳化硼涂层 氯化物 氟化物 CVD 热通量 化学气相沉积 |
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