| 激光束感应电流法研究HgCdTe电活性缺陷和焦平面器件的光电特性 |
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| 引用本文： | 茅文英,孙全,褚君浩,赵军,王令名.激光束感应电流法研究HgCdTe电活性缺陷和焦平面器件的光电特性[J].红外与毫米波学报,2001,20(4):259-262. |
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| 作者姓名： | 茅文英 孙全 褚君浩 赵军 王令名 |
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| 作者单位： | 茅文英（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海,200083）;孙全（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海,200083）;褚君浩（中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海,200083）;赵军（中国科学院上海技术物理研究所, 上海,200083）;王令名（中国科学院上海技术物理研究所, 上海,200083） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(编号 69878031)资助项目 |
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| 摘 要： | 用高分辨率的、非破坏的光学表征技术的激光束感应电流研究碲镉汞(MCT)晶片中电活性缺陷和光伏型红外碲镉汞焦平面器件及光伏型硅光电器件P-N结光电特性,实验表明在MCT晶片中探测到激光束感应电流,在光伏型P-N结构的器件中,观察到周期结构的激光束感应电流分布.定性地观察激光束感应电流图谱以及定量地分析单个P-N结的感应电流分布形状可以判断器件的均匀性和器件的质量.
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| 关 键 词： | 红外焦平面器件 P-N结 激光束感应电流. |
| 修稿时间： | 2000年12月28 |
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